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      基礎(chǔ)信息Product information
      產(chǎn)品名稱:

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

      產(chǎn)品型號(hào):HC-TSDC

      廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

      所在地:北京市

      更新日期:2026-02-06

      產(chǎn)品簡介:

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)統(tǒng)熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。

      產(chǎn)品特性Product characteristics
      品牌華測

      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)

      價(jià)格僅供參考,如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書、定制方案或應(yīng)用案例,歡迎致電我司技術(shù)工程師


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)由華測儀器生產(chǎn),用于預(yù)測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。TSDC是一種研究電荷存儲(chǔ)特性的試驗(yàn)技術(shù),用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫。


      產(chǎn)品參數(shù)

      溫度范圍:-100~300°C

      控溫精度:±0.25°C

      升溫斜率:10℃/min(可設(shè)定)

      測試頻率:電壓上限:±10kV

      加熱方式:空氣加熱

      降溫方式:液氮

      樣品尺寸:φ≤50mm,d≤3mm

      電極材料:黃銅

      夾具輔助材料:99氧化鋁陶瓷/peek

      低溫制冷:液氮

      測試功能:TSDC

      數(shù)據(jù)傳輸:RS-232


      支持的硬件

      1.多核高性能處理器

      2.集成打印接口,可擴(kuò)充8個(gè)USB接口

      3.支持16g內(nèi)存,250g固態(tài)硬盤


      其他測試功能

      熱釋電測試

      漏電流測試

      用戶定義激勵(lì)波形


      應(yīng)用領(lǐng)域

      材料研發(fā)與性能評(píng)估:介電材料研究、絕緣材料評(píng)估、半導(dǎo)體材料分析;

      電子元器件與封裝技術(shù):元器件可靠性測試、封裝材料選擇、封裝工藝優(yōu)化;

      電力與能源領(lǐng)域:電力設(shè)備絕緣監(jiān)測、儲(chǔ)能材料研究;

      其他領(lǐng)域:生物分子材料研究、環(huán)境監(jiān)測與保護(hù);

      在材料研發(fā)、電子元器件與封裝技術(shù)、電力與能源領(lǐng)域以及其他多個(gè)領(lǐng)域都具有普遍的應(yīng)用前景;隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,TSDC測試系統(tǒng)將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。


      半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統(tǒng)





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